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  N-Kanal-Transistoren SMD (403 Artikel)

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Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN56 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN56 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Verpack...
Taiwan Semiconductor
TSG65N190CR RVG
ab € 5,78*
pro Stück
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN88 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN88 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,195Ω Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Verpac...
Taiwan Semiconductor
TSG65N195CE RVG
ab € 6,11*
pro Stück
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN88 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Verpack...
Taiwan Semiconductor
TSG65N110CE RVG
ab € 9,96*
pro Stück
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: PDFN88 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 68mΩ Transistor-Typ: N-JFET Polarisierung: unipolar Verpacku...
Taiwan Semiconductor
TSG65N068CE RVG
ab € 17,44*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 334A; Idm: 1kA; 680W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 334A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 680W...
IXYS
MMIX1F420N10T
ab € 34,49*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 235A; Idm: 900A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 235A Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 680W...
IXYS
MMIX1F360N15T2
ab € 34,76*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 200V; 156A; Idm: 630A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 156A Widerstand im Leitungszustand: 8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
MMIX1F230N20T
ab € 33,45*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 250V; 132A; Idm: 500A (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 132A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F180N25T
ab € 33,61*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 102A; Idm: 440A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 102A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 570W ...
IXYS
MMIX1F160N30T
ab € 33,67*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 40V; 600A; Idm: 2kA; 830W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 600A Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1T600N04T2
ab € 24,40*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 55V; 550A; Idm: 2kA; 830W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 550A Widerstand im Leitungszustand: 1,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1T550N055T2
ab € 34,84*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 75V; 500A; 830W; SMPD (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
MMIX1F520N075T2
ab € 14,92*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 21mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W ...
IXYS
IXTT75N10L2
ab € 10,79*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 710ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W...
IXYS
IXTT30N60L2
ab € 12,75*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 108A; Idm: 550A; 520W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 520W ...
IXYS
MMIX1F210N30P3
ab € 35,52*
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