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  N-Kanal-Transistoren SMD (300 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 3A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Tube Gate-Ladung: 39...
IXYS
IXFA3N120
ab € 5,70*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263HV Bereitschaftszeit: 700ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 3A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unipolar Verpackung...
IXYS
IXTA3N120HV
ab € 4,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 850ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 6A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
IXYS
IXTT6N120
ab € 7,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 12A; 890W; TO268; 1,2us (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 1,2µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 2,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 890W...
IXYS
IXTT12N150
ab € 10,05*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 12A; 890W; TO268HV; 1,2us (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Bereitschaftszeit: 1,2µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 12A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 890W Polarisierung: unipolar Verpackun...
IXYS
IXTT12N150HV
ab € 41,60*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 3A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
IXYS
IXTA3N150HV
ab € 6,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W Po...
IXYS
IXTA4N150HV
ab € 18,42*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 4A; 280W; TO268HV; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 280W ...
IXYS
IXTT4N150HV
ab € 25,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,5kV; 6A; 540W; TO268; 1,5us (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 1,5µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 6A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
IXYS
IXTT6N150
ab € 6,85*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263HV Bereitschaftszeit: 30ns Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 290W ...
IXYS
IXTA1N170DHV
ab € 11,89*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,7kV; 2A; 568W; TO268; 80ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 80ns Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 6,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 568W P...
IXYS
IXTT2N170D2
ab € 17,03*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 230ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
IXTT110N10L2
ab € 12,84*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 10,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W Polarisierung: unipola...
IXYS
IXFA130N10T2
ab € 2,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFT140N10P
ab € 5,92*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 830W; TO268; 940ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 940ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 64mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 830W ...
IXYS
IXTT16N10D2
ab € 8,93*
pro Stück
 
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