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  N-Kanal-Transistoren SMD (38 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,3A; 150mW; SC75; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC75 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,3A Widerstand im Leitungszustand: 1,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipol...
Toshiba
SSM3K72KFS,LF(T
ab € 0,0341*
pro Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,4A; 150mW; SC70; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SC70 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,4A Widerstand im Leitungszustand: 1,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,15W Polarisierung: unipol...
Toshiba
SSM3K7002KFU,LF(T
ab € 0,0347*
pro Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,4A; Idm: 1,2A; 320mW; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,4A Widerstand im Leitungszustand: 1,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,32W Polarisierung: unipo...
Toshiba
T2N7002BK,LM(T
ab € 0,0295*
pro Stück
 
 Packungen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOP8A Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 34W Polarisierung: unipolar V...
Toshiba
TPH11006NL,LQ(S
ab € 0,134*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 24A; 2,4W; SOT23F (2 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: SOT23F Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 69mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,4W Polarisierung: unipolar...
Toshiba
SSM3K341R,LF(T
ab € 0,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11,1A; 100W; DPAK (3 Angebote) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 11,1A Widerstand im Leitungszustand: 440mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 100W Polarisierung: unipo...
Toshiba
TK11P65W,RQ(S
ab € 0,41*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; PAusg: 630mW (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Gehäuse: SOT89 Frequenz: 520MHz Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 1A Transistor-Typ: N-MOSFET Verstärkung: 14,9dB Ausgangsleistung: 630mW Verlustleistung: 3W Wirkungsgrad: ...
Toshiba
2SK3475(TE12L,F)
ab € 1,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 30V; 5A; 20W; TO271AA; SMT; 50% (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Gehäuse: TO271AA Frequenz: 520MHz Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 5A Transistor-Typ: N-MOSFET Verstärkung: 11,7dB Ausgangsleistung: 7,5W Verlustleistung: 20W Wirkungsgrad...
Toshiba
2SK3075(TE12L,Q)
ab € 8,89*
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