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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.839 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; Idm: 367A; 67W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 92A Widerstand im Leitungszustand: 4,75mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 67W Pol...
Nexperia
PSMN4R1-30YLC,115
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 94A; 80W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 94A Widerstand im Leitungszustand: 9,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 80W Polarisierung: unipolar V...
onsemi
FDD8896
ab € 0,37*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 95A Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 64W Pola...
Nexperia
PSMN4R0-30YLDX
ab € 0,288*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 99A Widerstand im Leitungszustand: 1,89mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDMC8010DC
ab € 0,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1,25W; uDFN6 (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: uDFN6 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 26mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,25W Polarisierung: unipolar...
Toshiba
SSM6K504NU,LF(T
ab € 0,49*
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 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2,4W; MicroFET (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: MicroFET Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,4W Polarisierung: unipola...
onsemi
FDMA7672
ab € 0,56*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: u...
ROHM Semiconductor
RXH090N03TB1
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8 (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOP8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierung: u...
ROHM Semiconductor
RSS090N03FRATB
ab € 0,36*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1,52W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,52W Polarisierung...
Diodes
DMN4468LSS-13
ab € 0,125*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung: u...
Diodes
DMN4800LSS-13
ab € 0,123*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustl...
Diodes
DMN4800LSSQ-13
ab € 0,147*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung: u...
Diodes
DMN3015LSD-13
ab € 0,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1,3W; U-DFN2020-6 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: U-DFN2020-6 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 9A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3W Polari...
Diodes
DMN3016LFDE-7
ab € 0,107*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TSDSON-8 Drain-Source Spannung: 34V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Pola...
Infineon
BSZ0909NSATMA1
ab € 0,188*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TDSON-8 Drain-Source Spannung: 34V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 9,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 27W Pola...
Infineon
BSC0909NSATMA1
ab € 0,211*
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