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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.868 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 210A; 89W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 210A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...
Infineon
IRF6797MTRPBF
ab € 8.726,40*
pro 4.800 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 29A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: R...
Infineon
IRF6618TRPBF
ab € 8.726,40*
pro 4.800 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 28A; 3,3W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 1,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 3,3W Pola...
Infineon
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ab € 8.807,24*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 26A; 125W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Pola...
Infineon
IRF7759L2TRPBF
ab € 9.170,80*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 192A; 89W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 192A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: unipolar Technologie: HEXF...
Infineon
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ab € 9.647,568*
pro 4.800 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 125W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 33A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: ...
Infineon
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ab € 9.696,00*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 124A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...
Infineon
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ab € 9.736,40*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 270A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art:...
Infineon
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ab € 9.817,24*
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