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  MOSFET Transistormodule (336 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 250V; 168A; SOT227B; schraubbar; 900W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 168A Widerstand im Leitungszustand: 12,9mΩ Verlustl...
IXYS
IXFN180N25T
ab € 16,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 25A; SOT227B; schraubbar; 176W (1 Angebot) 
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 137mΩ Verlustleistung: 17...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
ab € 17,28*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 150V; 150A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN180N15P
ab € 18,30*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 360A; SOT227B; schraubbar; 830W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 360A Widerstand im Leitungszustand: 2,6mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN360N10T
ab € 18,50*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N20P
ab € 18,72*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 86A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN102N30P
ab € 19,11*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 200A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN200N10P
ab € 19,27*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 40A; SOT227B; schraubbar; 625W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN48N60P
ab € 20,10*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 50A; SOT227B; schraubbar; 625W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN64N50P
ab € 20,22*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 68A; SOT227B; schraubbar; 780W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 68A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN94N50P2
ab € 20,24*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 120A; SOT227B; schraubbar; 380W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleistung: 380W ...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
ab € 20,43*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN80N60P3
ab € 20,80*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 420A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 420A Widerstand im Leitungszustand: 2,3mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN420N10T
ab € 20,95*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 30A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Verlustleistung: 450W P...
ST Microelectronics
STE48NM50
ab € 21,00*
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 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A (1 Angebot) 
Hersteller: WeEn Semiconductors Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 45A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Verlustleistung: 105W Einheitspreis:...
WeEn Semiconductors
WMSC040H12B1P6T
ab € 21,04*
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