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  IGBT Module  (1.917 Angebote unter 29.428.170 Artikeln)

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"IGBT Module"

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Anwendung: Wechselrichter Einheits...
IXYS
VUI30-12N1
ab € 29,46*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Leistung: 2,2kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kol...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 02NAC066V3 25232320
ab € 51,97*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 03NAC126V1 25230870
ab € 66,93*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; 290W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 150A Ver...
IXYS
MIXA60HU1200VA
ab € 22,68*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA Einhei...
ABB
5SNE 0800M170100
ab € 1.023,50*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Phasendiodenbrücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 0 Leistung: 1,5kW Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 6A Koll...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 01NAC066V3 25232340
ab € 48,28*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGLQ100DA120T1G
ab € 67,84*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper x2,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGL60DDA120T3G
ab € 74,11*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SimBus F Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 250A Kollektorstrom im Impuls: 500A Ver...
IXYS
MIXA225RF1200TSF
ab € 56,54*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT150DH60TG
ab € 115,48*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL12E4S 27890220
ab € 220,85*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
ab € 137,06*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL17E4S 27892120
ab € 262,10*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S 27890102
ab € 125,91*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 450A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4P 27894424
ab € 376,80*
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