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"IGBT"

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Transistor: IGBT; 1200V; 70A; 961W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 70A Kollektorstrom im Impuls: 280A Anschaltz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT70GR120B2
ab € 16,38*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 95 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...
Infineon
IKWH30N65WR5XKSA1
ab € 1,27*
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 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GT120BRDQ2G
ab € 10,14*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin EasyPIM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = EasyPIM Channel-Typ = N Pinanzahl = 23 Das Infineon ...
Infineon
FP25R12W2T7B11BPSA1
ab € 37,86*
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 Stück
Transistor: IGBT; 1,8kV; 40A; 375W; TO3PN (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: THT Gehäuse: TO3PN Kollektor-Emitter-Spannung: 1,8kV Gate - Emitter Spannung: ±25V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 80A Anschaltzeit: 950ns Aussch...
Toshiba
GT40WR21,Q(O
ab € 7,80*
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 Stück
Infineon IGBT / 34 A 30V max. , 650 V 35,3 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 34 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 35,3 W Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
ab € 0,94*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 26 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
IGB15N60TATMA1
ab € 1,18*
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 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO252-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
IKD15N60RATMA1
ab € 0,97*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Kollektorstrom im Impuls: 160A Anschaltzei...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120S
ab € 10,49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 25 A ±20V max. , 1200 V 250 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = To-247-3 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
ab € 4,21*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 75A Anschaltze...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GT120BRG
ab € 5,66*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 35 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-EASY2B. N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-EASY2B. Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration ...
Infineon
FP35R12W2T7B11BOMA1
ab € 661,66005*
pro 15 Stück
 
 Packung
Transistor: IGBT; 1,35kV; 30A; 170W; TO247; 1,47mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,35kV Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,8V Kollektor-Emitter-Strom: 30...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK30B135W1
ab € 2,38*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 1350 V 330 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1350 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 330 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
ab € 2,15*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 300 A ±20V max., 1700 V 1,8 kW, 7-Pin CTI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1,8 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7
Infineon
FF300R17KE4HOSA1
ab € 129,62*
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