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"MOSFET"

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VISHAY IRFZ48SPBF MOSFET, N-KANAL, 60V, 50A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
Vishay
IRFZ48SPBF
ab € 1,32*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SI1013CX-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, 20V, 0.45A, SC-89 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p...
Vishay
SI1013CX-T1-GE3
ab € 0,072*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,245A; Idm: 1,2A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT23;TO236AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,245A Widerstand im Leitungszustand: 2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisierung...
Nexperia
2N7002BKVL
ab € 0,0616*
pro Stück
 
 Stück
Infineon Gate Driver, Power MOSFET Gate-Ansteuerungsmodul, EB 2ED2410 3D 1BCS MOSFET-Gate-Ansteuerung (1 Angebot) 
Funktion für Stromüberwachungseinheiten = MOSFET-Gate-Ansteuerung Zum Einsatz mit = 2ED2410-EM 24-V-Evaluierungs-Motherboard Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = Gate Dri...
Infineon
EB2ED24103D1BCSTOBO1
ab € 81,62*
pro Stück
 
 Stück
Vishay EF SiHB186N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 8,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = EF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,168 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 3 → ...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
ab € 1,40*
pro Stück
 
 Stück
Infineon AUIRF8739L2 Transistor 40 V (1 Angebot)
Infineon
AUIRF8739L2TR
ab € 13.534,00*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Vishay EF SIHH125N60EF-T1GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A, 23 A., 4-Pin PowerPAK 8 x 8 (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A, 23 A. Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = EF Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,125 Ω Channel-Modus = Enhancement ...
Vishay
SIHH125N60EF-T1GE3
ab € 2,69*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3,6A; 1W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2300A
ab € 0,214*
pro 10 Stück
 
 Packungen
Infineon HEXFET AUIRF8739L2TR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 545 A, 15-Pin DirectFET (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 545 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 15 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0006 Ω Channel-Modus = Enhancement G...
Infineon
AUIRF8739L2TR
ab € 4,61*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY SIHP11N80AE-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 8A, 150°C, 78W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391 ohm Produktpalette: E MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Da...
Vishay
SIHP11N80AE-GE3
ab € 0,818*
pro Stück
 
 Stück
Infineon CoolSiC IMZA65R057M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A, 4-Pin TO-247-4 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = CoolSiC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,074 Ω Channel-Modus = Enhancement Ga...
Infineon
IMZA65R057M1HXKSA1
ab € 105,4401*
pro 30 Stück
 
 Packung
Vishay E Series SiHP6N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Serie = E Series Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 Ω Channel-Modus = Enhancement Gat...
Vishay
SiHP6N80AE-GE3
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
Infineon HEXFET AUIRF1404STRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 162 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 162 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,004 O Channel-Modus = Enhancement Gat...
Infineon
AUIRF1404STRL
ab € 4,13*
pro Stück
 
 Stück
Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251) (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,44 Ω Channel-Modus = E...
Vishay
SIHU4N80AE-GE3
ab € 0,642*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4,5A; 1,2W (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,2W Polarisieru...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL3404A
ab € 0,277*
pro 10 Stück
 
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