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| Artikel-Nr.: 102-2809291-BP Herst.-Nr.: BC858C EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Diotec Transistor (BJT) - diskret BC858C SOT-23 PNP
BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
Technische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 520 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 650 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD Gehäuse: SOT-23 Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 30 V DC Kollektorstrom - IC: 100 mA Polarität - pol: PNP Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C Verlustleistung - Ptot: 0.250 W Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 520 VCE: 5 V IC: 2 mA Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mV IC: 100 mA IB: 5 mA Transitfrequenz - ft: 100 MHz IC: 10 mA VCE: 5 V f: 100 MHz
Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Diotec | Marke: | Diotec | Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-23 | Ausführung (Transistoren): | PNP | Typ (Hersteller-Typ): | BC858C | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 30 V | Collector-Strom I(C): | 100 mA | DC Stromverstärkung (hFE): | 520 | Betriebstemperatur (max.): | 150 °C | Leistung (max) P(TOT): | 0.25 W | Transitfrequenz f(T): | 100 MHz | VCE Sättigung (max.): | 650 mV | RoHS-konform: | Ja | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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