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| Artikel-Nr.:
102-2809316-BP Herst.-Nr.:
BCP56-16 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP56-16 SOT-223 NPN
BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN
Technische Daten:
Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1000 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 2 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMD
Gehäuse: SOT-223
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 V
DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 2.000 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 40
VCE: 2 V
IC: 150 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 50 mA
VCE: 10 V
f: 100 MHz
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Diotec | Marke: | Diotec | Gehäuseart (Halbleiter): | SOT-223 | Ausführung (Transistoren): | NPN | Typ (Hersteller-Typ): | BCP56-16 | Montageart: | Oberflächenmontage | Kollektor-Emitterspannung U(CEO): | 80 V | Collector-Strom I(C): | 1000 mA | DC Stromverstärkung (hFE): | 40 | Betriebstemperatur (max.): | 150 °C | Leistung (max) P(TOT): | 2 W | Transitfrequenz f(T): | 100 MHz | VCE Sättigung (max.): | 500 mV | RoHS-konform: | Ja | Produkt-Art: | Transistor (BJT) - diskret |
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