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Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-564023-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3006PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 8970 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 195 A · Leistung (max) P(TOT): 375 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 300 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 2.5 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220AB
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFB3006PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
8970 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
50 V
I(d):
195 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
375 W
Q(G):
300 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
2.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
170 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
U(DSS):
60 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
60 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 60v, Infineon Technologies, IRFB3006PBF, 688-6908, International Rectifier
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