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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRFB3006PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3006PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 270A
Widerstand im Leitungszustand: 2,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 375W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 200nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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