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Infineon Technologies IRFML8244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-564052-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFML8244TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Infineon Technologies IRFML8244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23

MOSFET

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 25 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 430 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 5.8 A · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 5.4 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 24 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 5.8 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 25 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 10 µA · U(GS)(th) max.: 2.35 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
SOT-23
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFML8244TRPBF
Montageart:
Oberflächenmontage
C(ISS):
430 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
I(d):
5.8 A
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
1.25 W
Q(G):
5.4 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
24 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
10 µA
U(DSS):
25 V
U(GS)(th) max.:
2.35 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
25 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor, 02050003203418, Infineon Technologies, IRFML8244TRPBF, 737-7219
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