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| Artikel-Nr.:
108EL-1022276 Herst.-Nr.:
MJE15033G EAN/GTIN:
5059042268294 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = -250 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 50 W
Gleichstromverstärkung min. = 50
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 250 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 30 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | -250 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 50 W | Gleichstromverstärkung min.: | 50 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 250 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 30 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1022276, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE15033G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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