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| Artikel-Nr.:
108EL-1364797 Herst.-Nr.:
BSN20BKR EAN/GTIN:
5059043667256 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 330 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = BSN20BK
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 1,67 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,49 nC @ 4,5 Vmm
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 330 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | BSN20BK | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 1,67 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 0,49 nC @ 4,5 Vmm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, 1364797, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSN20BKR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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