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Vishay SI2302DDS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,6 A 0,71 W, 3-Pin SOT-23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1464437
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2302DDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040664418
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.85V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 0,71 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±8 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.02mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
75 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
0.85V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.4V
Verlustleistung max.:
0,71 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±8 V
Breite:
1.4mm
Höhe:
1.02mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-23, 1464437, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2302DDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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Warenzustand:unbenutzt
Rücksendekosten:trägt der Kunde
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