| |
|
| Artikel-Nr.: 108EL-1684819 Herst.-Nr.: IXFA22N65X2 EAN/GTIN: 5059041345101 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 22 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Serie = HiperFET, X2-Class Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 145 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V Verlustleistung max. = 390 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm Höhe = 4.83mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | HiperFET, X2-Class | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 145 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.7V | Verlustleistung max.: | 390 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Höhe: | 4.83mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, mosfet d2pak, 1684819, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFA22N65X2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| | | Angebote (4) | | |
| | Lagerstand | Mind.-Menge | | Versand | | | | | | | | | | | | | | Lager 108 | | | | 50 | | Frei Haus | ab € 4,44* | € 5,53* | | | | | | | | | 1 | | € 6,90* | ab € 2,89* | € 6,40* | | | | | | | | 1 | | € 5,95* | ab € 4,67* | € 6,85* | | | | | 45 Tage | | | 1 | | € 14,99* | ab € 2,64* | € 6,96* | | | | | | | | | | | | | | | | | Preise: Lager 108 | | Bestellmenge | Netto | Brutto | Einheit | | | | | | | | | | Bestellungen nur in Vielfachen von 50 Stück | Mindestbestellmenge: 50 Stück ( entspricht € 276,50* zzgl. MwSt. ) |
|
| | | | | Lagerstand: Lager 108 | | Versand: Lager 108 | | | | | | Bestellwert | Versand | ab € 0,00* | € 8,95* | | ab € 90,00* | Frei Haus |
|
| | | | | Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 108 | | | Zeitraum: | innerhalb von 30 Tagen | Verpackungszustand: | Originalverpackung ungeöffnet, ohne Beschädigung | Warenzustand: | unbenutzt | Rücksendekosten: | trägt der Kunde | Bearbeitungsgebühr: | keine | Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen. |
|
| | | | | | | |
|