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onsemi NTR4170NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,4 A 480 mW, 3-Pin SOT-23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     108EL-1841067
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTR4170NT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 480 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1.01mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
2,4 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOT-23
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
110 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.4V
Gate-Schwellenspannung min.:
0.6V
Verlustleistung max.:
480 mW
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±12 V
Breite:
1.4mm
Höhe:
1.01mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, 1841067, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTR4170NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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