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| Artikel-Nr.:
108EL-2282966 Herst.-Nr.:
SQS660CENW-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0112 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0112 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2282966, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQS660CENWT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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