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| Artikel-Nr.: 139-3729614 Herst.-Nr.: SQS660CENW-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W Dauer-Drainstrom Id: 18 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CDrain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 62.5 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQS660CENW-T1_GE3, 3729614, 372-9614 |
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