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onsemi QFET FQP8N80C N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB
Menge:
Packung
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
108EL-6715199
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FQP8N80C
EAN/GTIN:
5059042117912
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = QFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,55 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 178 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
8 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Serie:
QFET
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
1,55 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
178 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
35 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.:
-55 °C
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
mosfet 8a
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Art
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