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| Artikel-Nr.:
115-30230908 Herst.-Nr.:
MJD122T4G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Darlington-Transistor, Typ=MJD122T4G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=4.5 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=1000, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=100 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=100 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=4 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=8 A, Leistungsverteilung (PV)=20 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=4 MHz, Bauform=DPAK, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen: | | Ursprungsland: | MY | Höhe: | 2 mm | Nettogewicht: | 0,050 g | Tiefe: | 8 mm | Bruttogewicht: | 0,05 g | Breite: | 5 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541290000 |
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