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ONSEMI FDC655BN MOSFET, N-KANAL, 30V, 0.0063A, SSOT-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-2101405
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC655BN
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SuperSOT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 800 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 V
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDC655BN, 2101405, 210-1405
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