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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,3A; 1,6W; SuperSOT-6


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,3A; 1,6W; SuperSOT-6
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,3A; 1,6W; SuperSOT-6
Artikel-Nr.:
     2805-FDC655BN
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC655BN
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-6
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 6,3A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 13nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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