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VISHAY SISA96DN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 16A, POWERPAK 1212


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     139-2708307
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISA96DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 16 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 26.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISA96DN-T1-GE3, 2708307, 270-8307
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