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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A; 17W

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-SISA96DN-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SISA96DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 17W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 31nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 65A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor

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