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INFINEON BSZ160N10NS3GATMA1 MOSFET, N-KANAL, 100V, 40A, PG-TDSON


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
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Artikel-Nr.:
     139-3132235
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSZ160N10NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014 ohm
  • Produktpalette: OptiMOS 3
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 40 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PG-TSDSON
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 63 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, BSZ160N10NS3GATMA1, 3132235, 313-2235
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