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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 54A; Idm: 340A; 132W; Power56


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Produktinformationen
onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N1
onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N1
Artikel-Nr.:
     2805-FDMS8D8N15C
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMS8D8N15C
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: Power56
Drain-Source Spannung: 150V
Drainstrom: 54A
Widerstand im Leitungszustand: 16,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 132W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 50nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 340A
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