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Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Infineon IPDD60R102G7 Transistor 600 V
Infineon IPDD60R102G7 Transistor 600 V
Artikel-Nr.:
     2805-IPDD60R102G7XTMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPDD60R102G7XTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-HDSOP-10-1
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 0,102Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 139W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 34nC
Technologie: CoolMOS™ G7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 66A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor
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