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Modul; einzelner Transistor; 500V; 63A; SOT227B; schraubbar; 780W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 500V; 63A; SOT227B; schraubbar; 780W
Modul; einzelner Transistor; 500V; 63A; SOT227B; schraubbar; 780W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN80N50Q3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN80N50Q3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 63A
Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ
Verlustleistung: 780W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 200nC
Technologie: HiPerFET™;Q3-Class
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 240A
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