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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0,9A; 350mW


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-NX7002BKMYL
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     NX7002BKMYL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: DFN1006-3;SOT883
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,2A
Widerstand im Leitungszustand: 5,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 1nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,9A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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