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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-R6076KNZ4C13
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6076KNZ4C13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 76A
Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 735W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 165nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 228A
Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, mosfet
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