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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5,3A; Idm: 20A; 2W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5,3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5,3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Artikel-Nr.:
     2805-SI9945BDY-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI9945BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 5,3A
Widerstand im Leitungszustand: 58mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 20nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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