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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W

Menge:

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-SIHB180N60E-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHB180N60E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 156W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 33nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 44A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor

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