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| Artikel-Nr.:
4502-74P1017 Herst.-Nr.:
IXFN180N25T EAN/GTIN:
4099891778828 |
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| MOSFET, IXFN180N25T, LITTELFUSE Ein Leistungs-MOSFET mit N-Kanal-Anreicherungsmodus, Avalanche-Bewertung und mit Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage und Platzersparnis. Features * Internationales Standardgehäuse * miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung * Hohe Strombelastbarkeit * Schnelle intrinsische Diode * Niedriger RDS(on) Anwendungen * DC-DC-Wandler * Batterieladegeräte * Schaltnetzteile und Resonanznetzteile * DC-Chopper * AC-Motorantriebe * Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) * Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen Weitere Informationen: | | Ausführung: | N-Kanal | Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V: | 12.9 mΩ | Gate Charge Qg @10V (nC): | 364 nC | Gehäuse: | SOT-227 | max. Spannung: | 250 V | max. Strom: | 168 A | max. Temperatur: | 150 °C | min. Temperatur: | -55 °C | Montage: | Schraubmontage | Verlustleistung W (DC): | 900 W | Ursprungsland: | KR | Gewicht: | 0.03 kg | SVHC frei: | Ja | RoHS konform: | Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, Schalttransistor, Transistor, FET |
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