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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.868 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6,93A; 90W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6,93A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisier...
ST Microelectronics
STD13NM60N
ab € 0,79*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXKT70N60C5
ab € 10,26*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41W Polarisie...
Infineon
IPB60R360P7ATMA1
ab € 0,65*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,365Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 46W Pola...
Infineon
IPL60R365P7AUMA1
ab € 0,91*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,536Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 51W Pol...
Infineon
IPD60R280CFD7
ab € 1,64*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisieru...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CP ROG
ab € 1,18*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 313mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: u...
Vishay
SIHJ10N60E-T1-GE3
ab € 1,20*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 368mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHD9N60E-GE3
ab € 0,792*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,2A; 125W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD380A60
ab € 1,60*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,295Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisie...
ST Microelectronics
STB18N60DM2
ab € 1,18*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; 147W; D2PAK,TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: ...
Vishay
SIHB12N60E-GE3
ab € 0,99*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,8A; Idm: 27A; 147W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: ...
Vishay
SIHB12N60ET1-GE3
ab € 1,17*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 36A; 125W; Power88 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power88 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,299Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: uni...
onsemi
FCMT299N60
ab € 1,39*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 2,1W; SOT223 (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SOT223 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,1W Polarisi...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CW RPG
ab € 0,40*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisieru...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP ROG
ab € 0,37*
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