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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 21W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 21W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD480
ab € 0,182*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 32A; 14W; HSMT8 (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: HSMT8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 31,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 14W Polarisieru...
ROHM Semiconductor
RQ3E080GNTB
ab € 0,133*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: WDFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 9,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipolar ...
onsemi
FDMC7680
ab € 0,77*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8 (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: WDFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: unipolar Ve...
onsemi
FDMC7672S
ab € 0,47*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 192A; 89W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 192A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: unipolar Technologie: HEXF...
Infineon
IRF8301MTRPBF
ab € 9.647,568*
pro 4.800 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2,5W; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 19A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRF7834TRPBF
ab € 1.997,04*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 19A; 2,8W; PQFN3.3X3.3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PQFN3.3X3.3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 19A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,8W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...
Infineon
IRFHM8326TRPBF
ab € 1.051,16*
pro 4.000 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 0,5W; SOT23-3 (2 Angebote) 
Hersteller: TOREX Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: unipolar...
Torex Semiconductor
XP151A11B0MR-G
ab € 0,21*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,1A; Idm: 10A; 0,5W; SOT323 (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,1A Widerstand im Leitungszustand: 67mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisie...
Diodes
DMN3067LW-7
ab € 0,0698*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,1A; Idm: 18A; 0,5W; SOT323 (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisie...
Diodes
DMN3060LW-7
ab € 0,061*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,1A; Idm: 18A; 640mW; SOT323 (3 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT323 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Ver...
Diodes
DMN3060LWQ-7
ab € 0,0621*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,25A; 13,6W; PowerPAK® SC70 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SC70 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,25A Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 13,6W Polarisierun...
Vishay
SQA470EEJ-T1_GE3
ab € 0,165*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,2A; 0,5W; SuperSOT-3 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,5W Polarisierung: uni...
onsemi
FDN337N
ab € 0,086*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,65W Polaris...
Diodes
DMN3200U-7
ab € 0,118*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,3A; 0,45W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 2,3A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,45W Polarisierung: unipola...
Vishay
SI2316DS-T1-E3
ab € 0,28*
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