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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung...
ROHM Semiconductor
R6007ENJTL
ab € 0,815*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 780mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 96W Polarisierun...
ROHM Semiconductor
R6007JNJGTL
ab € 0,89*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 357mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W Polarisierung:...
Vishay
SIHH11N60EF-T1-GE3
ab € 2,60*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 78W; DPAK,TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 78W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHD240N60E-GE3
ab € 1,40*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: u...
Vishay
SIHJ240N60E-T1-GE3
ab € 1,16*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8,5A; 160W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polarisier...
ST Microelectronics
STB14NK60ZT4
ab € 1,19*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 890mA; Idm: 5,6A; 36W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,89A Widerstand im Leitungszustand: 7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierung: unip...
Vishay
SIHFR1N60ATRL-GE3
ab € 0,41*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 53W Polarisie...
Infineon
IPB60R280P7ATMA1
ab € 0,86*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 53W Pola...
Infineon
IPD60R280P7ATMA1
ab € 0,67*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 53W Pola...
Infineon
IPD60R280P7S
ab € 0,69*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 59W Pola...
Infineon
IPL60R285P7AUMA1
ab € 0,93*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 68W Polarisie...
Infineon
IPB60R180C7ATMA1
ab € 1,27*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 80W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 80W Polarisierung: unipolar V...
Toshiba
TK8P60W,RVQ
ab € 0,67*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA (1 Angebot) 
Hersteller: PanJit Semiconductor Montage: SMD Gehäuse: TO252AA Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,58Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 54W Polarisi...
PanJit Semiconductor
PJMD580N60E1_L2_00001
ab € 0,46*
pro Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 309mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 147W Polarisierung: uni...
Vishay
SIHD14N60E-GE3
ab € 1,35*
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