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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.883 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: WSON6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 14,4A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 20,2W Polarisie...
Texas Instruments
CSD19538Q2T
ab € 0,68*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14,4A; 30W; DirectFET (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DirectFET Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 14,4A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 30W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art...
Infineon
IRF7665S2TRPBF
ab € 5.983,92*
pro 4.800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 330W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Ro...
Infineon
IRFS4310TRLPBF
ab € 1,44*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFT140N10P
ab € 5,97*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 88W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 88W Polarisierung: un...
Vishay
IRF530STRLPBF
ab € 0,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 11W; DFN3.3x3.3 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3.3x3.3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 11...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7292
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3,3x3,3mm (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: VSONP8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 23W Polarisierun...
Texas Instruments
CSD19538Q3AT
ab € 0,52*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK (5 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle...
Infineon
IRLR3410TRPBF
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle...
Infineon
IRLR3410TRRPBF
ab € 728,70*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK (4 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle...
Infineon
IRFR3910TRPBF
ab € 0,35*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16,5A; 31W; PQFN8 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16,5A Widerstand im Leitungszustand: 97mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipola...
onsemi
FDMS8622
ab € 0,447*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-7 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 3,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 214W P...
Infineon
IPB039N10N3GATMA1
ab € 1,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Montage: SMD Gehäuse: TO220SM Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 160A Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: uni...
Toshiba
TK160F10N1L,LQ(O
ab € 2,15*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 164A Widerstand im Leitungszustand: 4,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unipol...
onsemi
FDB047N10
ab € 1,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 70W; DPAK; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 70W Polarisierung...
ST Microelectronics
STD15NF10T4
ab € 0,46*
pro Stück
 
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