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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; 1,6W; SuperSOT-6 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SuperSOT-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: u...
onsemi
FDC3612
ab € 0,218*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; Idm: 15,6A; 2,5W (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: u...
Bridgelux
BXS1150N10M
ab € 0,0531*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,6A; Idm: 15A; 15W (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: DFN6;SOT1220 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,6A Widerstand im Leitungszustand: 1078mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlu...
Nexperia
BUK6D385-100EX
ab € 0,1043*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; 1,3W; PowerDI®3333-8 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: PowerDI®3333-8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,133Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,3...
Diodes
DMN10H170SFG-13
ab € 0,168*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; 25W; DPAK,TO252 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
IRLR110PBF
ab € 0,39*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; 25W; DPAK,TO252 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
IRFR110PBF
ab € 0,24*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; Idm: 10A; 1,31W (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: U-DFN2020-6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,31W Po...
Diodes
DMN10H170SFDE-7
ab € 0,132*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; Idm: 17A; 25W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
SIHFR110-GE3
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; Idm: 17A; 25W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 760mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
SIHLR110TR-GE3
ab € 0,27*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; Idm: 17A; 25W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
SIHFR110TRL-GE3
ab € 0,29*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; Idm: 17A; 25W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: un...
Vishay
SIHFR110TR-GE3
ab € 0,29*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,8A; 2,5W; SO8 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 2,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,122Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipola...
onsemi
FDS3692
ab € 0,395*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 6,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisier...
Texas Instruments
CSD19532KTT
ab € 0,96*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 6,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisier...
Texas Instruments
CSD19532KTTT
ab € 1,27*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 200A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polarisier...
Texas Instruments
CSD19535KTT
ab € 2,19*
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