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  MOSFET Transistormodule (102 Artikel)

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Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 105,39*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 35A; V1-A-Pack; Idm: 95A; 36W; 350nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 36W Polarisierung: u...
IXYS
VUM25-05E
ab € 32,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; 500W; 165nC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-B-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Verlustleistung: 500W Polarisierung: ...
IXYS
VUM33-06PH
ab € 51,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-Li Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
VMM650-01F
ab € 378,31*
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 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustleistung: 1,5kW Polarisieru...
IXYS
VMM300-03F
ab € 286,81*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; -100V; -210A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -210A Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ Verlust...
IXYS
IXTN210P10T
ab € 34,57*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; -200V; -106A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: -200V Drainstrom: -106A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustl...
IXYS
IXTN120P20T
ab € 41,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; -500V; -40A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 477ns Drain-Source Spannung: -500V Drainstrom: -40A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustl...
IXYS
IXTN40P50P
ab € 25,37*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 480ns Drain-Source Spannung: -600V Drainstrom: -32A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustl...
IXYS
IXTN32P60P
ab € 28,60*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 34A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110P
ab € 33,78*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,1kV; 35A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXFN40N110Q3
ab € 31,01*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 15A; SOT227B; schraubbar; 540W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,83µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω Verlustle...
IXYS
IXTN17N120L
ab € 49,66*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 20A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 570mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN20N120P
ab € 35,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 21,5A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ Polarisierung: unipolar Elektrisc...
IXYS
IXFN27N120SK
ab € 40,67*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 23A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN26N120P
ab € 44,83*
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