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  MOSFET Transistormodule (102 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 500V; 75A; SOT227B; schraubbar; 240nC (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 75A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN100N50P
ab € 30,26*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 82A; SOT227B; schraubbar; 960W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 82A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN100N50Q3
ab € 45,56*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 78A; SOT227B; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 78A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN100N65X2
ab € 25,43*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 86A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN102N30P
ab € 19,11*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1500W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN110N60P3
ab € 26,47*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 205ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN110N85X
ab € 53,45*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 108A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 220ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 108A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN120N65X2
ab € 39,72*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 109A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN130N90SK
ab € 147,45*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 112A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 112A Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN132N50P3
ab € 26,37*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 200V; 115A; SOT227B; schraubbar; 680W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 115A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N20P
ab € 21,11*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 110A; SOT227B; schraubbar; 700W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN140N30P
ab € 22,41*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 145A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 190ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 145A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN150N65X2
ab € 39,45*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 300V; 130A; SOT227B; schraubbar; 900W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN160N30T
ab € 21,67*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 250V; 146A; SOT227B; schraubbar; 390W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 135ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 146A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustle...
IXYS
IXFN170N25X3
ab € 27,04*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 650V; 170A; SOT227B; schraubbar (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 270ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 170A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN170N65X2
ab € 37,83*
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