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Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN110N85X
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN110N85X
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 205ns
Drain-Source Spannung: 850V
Drainstrom: 110A
Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ
Verlustleistung: 1170W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 425nC
Technologie: HiPerFET™;X-Class
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 220A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a
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