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  MOSFET Transistormodule (101 Artikel)

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Modul; Transistor/Transistor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-Li Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 500A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Polarisierung: unipolar Einheitspre...
IXYS
VMM650-01F
ab € 376,41*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 590A Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO550-01F
ab € 345,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Einheitspre...
IXYS
IXFN90N170SK
ab € 344,82*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Transistor/Transistor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 220A Widerstand im Leitungszustand: 7,4mΩ Verlustleistung: 1,5kW Polarisieru...
IXYS
VMM300-03F
ab € 284,10*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA; 2,5kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 690A Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ Verlustlei...
IXYS
VMO650-01F
ab € 198,62*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 109A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Polarisierung: unipolar Einheitspre...
IXYS
IXFN130N90SK
ab € 146,46*
pro Stück
 
 Stück
Modul; Diode/Transistor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V2-Pack Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 1,38kW Polarisierung: ...
IXYS
VUM85-05A
ab € 105,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 800W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1µs Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω Verlustleistu...
IXYS
IXTN30N100L
ab € 65,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SIC
ab € 64,44*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SK
ab € 64,11*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...
IXYS
IXFN32N120P
ab € 60,61*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 62A; SOT227B; schraubbar; 800W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 0,5µs Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleis...
IXYS
IXTN62N50L
ab € 57,81*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
ab € 57,68*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 580ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleis...
IXYS
IXKN75N60C
ab € 54,27*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 205ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN110N85X
ab € 53,86*
pro Stück
 
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