Kategorien
Deutschland
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > MOSFET Transistormodule

  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1F Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 395W...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSCSM120AM31CT1AG
ab € 144,43*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU2
ab € 83,31*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 71A; SOT227B; schraubbar; 395W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 3...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC70SM120JCU3
ab € 83,34*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU3
ab € 57,19*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU2
ab € 57,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Verlustleistung: 250W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTMC120AM55CT1AG
ab € 242,38*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU2
ab € 127,40*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 138A Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ Verlustleistung: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU3
ab € 126,95*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 56A; SOT227B; schraubbar; 1000W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Verlustle...
IXYS
IXFN56N90P
ab € 51,99*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 43A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 43A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN52N90P
ab € 35,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 33A; SOT227B; schraubbar; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 33A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Verlustlei...
IXYS
IXFN40N90P
ab € 29,86*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 900V; 109A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 109A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN130N90SK
ab € 146,92*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1200W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN90N85X
ab € 41,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 65A; SOT227B; schraubbar; 830W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 65mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN66N85X
ab € 32,57*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 850V; 110A; SOT227B; schraubbar (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 205ns Drain-Source Spannung: 850V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ Verlustlei...
IXYS
IXFN110N85X
ab € 53,45*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   vorwärts
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.