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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SIC
ab € 64,37*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 890W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω Verlustle...
IXYS
IXFN30N120P
ab € 50,10*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...
IXYS
IXFN32N120P
ab € 59,76*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 37A; SOT227B; schraubbar; 208W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 37A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120J
ab € 35,75*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SK
ab € 63,65*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 50A; SOT227B; schraubbar; 460W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DACMI80N1200
ab € 71,26*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 54A; SOT227B; schraubbar; 278W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 31mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
ab € 50,13*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 74A; SOT227B; schraubbar; 365W (1 Angebot) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 3...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12N
ab € 44,90*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 76A; SOT227B; schraubbar; 500W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Betriebstemperatur: -55...150°C Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 76A Widerstand im Leitungszus...
DACO Semiconductor
DACMI120N1200
ab € 96,55*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 1,7µs Drain-Source Spannung: 1,5kV Drainstrom: 7,5A Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω Verlustle...
IXYS
IXTN8N150L
ab € 45,45*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 67A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Polarisierung: unipolar Elektrische...
IXYS
IXFN90N170SK
ab € 346,93*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,7kV; 70A; SOT227B; schraubbar; 523W (2 Angebote) 
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,7kV Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 20mΩ Verlustleistung: 5...
Genesic Semiconductor
G3R20MT17N
ab € 105,45*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 120A; SOT227B; schraubbar; 380W (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Verlustleistung: 380W ...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
ab € 19,54*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 144A; ISOTOP; schraubbar; 450W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 144A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustleistung: 45...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11JVFR
ab € 56,54*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 100V; 178A; SOT227B; schraubbar; 830W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 245ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 178A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Verlustlei...
IXYS
IXTN200N10L2
ab € 36,04*
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