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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 28A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45M100J
ab € 64,50*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 26ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 26ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SIC
ab € 64,37*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 22A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Verlustleistung: 9...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT34M120J
ab € 64,35*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 48A; SOT227B; schraubbar; SiC (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 54ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 48A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Polarisieru...
IXYS
IXFN50N120SK
ab € 64,00*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 58A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JFLL
ab € 62,96*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 71A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 71A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M50JFLL
ab € 62,32*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 65A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 65A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100F50J
ab € 61,49*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 580ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleis...
IXYS
IXKN75N60C
ab € 61,04*
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 Stück
Modul; einzelner Transistor; 800V; 42A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 42A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Verlustleistung: 59...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8014JFLL
ab € 60,85*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 32A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 0,31Ω Verlustle...
IXYS
IXFN32N120P
ab € 60,09*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 52A; ISOTOP; schraubbar; 961W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 961...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80F60J
ab € 59,32*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 36A; SOT227B; schraubbar; 694W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Verlustleis...
IXYS
IXFN36N100
ab € 57,60*
pro Stück
 
 Stück
Modul; einzelner Transistor; 500V; 62A; SOT227B; schraubbar; 800W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 0,5µs Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Verlustleis...
IXYS
IXTN62N50L
ab € 57,51*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU2
ab € 57,28*
pro Stück
 
 Stück
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 44A; SOT227B; schraubbar; 245W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Verlustleistung: 2...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC40SM120JCU3
ab € 57,19*
pro Stück
 
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