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NEXPERIA BUK9Y8R8-60ELX MOSFET, N-KANAL, 60V, 110A, LFPAK56 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Nexperia
BUK9Y8R8-60ELX
ab € 0,958*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 650A V...
IXYS
IXXN110N65B4H1
ab € 24,10*
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Diode: Gleichrichter; THT; 600V; 15Ax2; Tube; Ifsm: 110A; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsspannung max.: 2,03V Vorwärtsstrom: 15A x2 Struktur des Halbleiters: gemeinsame Kathode;doppelt Bereitschaftszeit: 35...
IXYS
DSEC30-06B
ab € 3,04*
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SEMIKRON SKD100/16 BRÜCKEN-GR-DIODE, 110A, 1600V (2 Angebote) 
Durchlassstoßstrom: 1.15 kA Bauform - Brückengleichrichter: Modul Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Produktpalette: SKD Betriebstemperatur, max.: 125 °C Wiederkehrende Spitzensperrspa...
Semikron
SKD100/16
ab € 80,71*
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Diode: Gleichrichter; THT; 300V; 10Ax2; Tube; Ifsm: 110A; I2PAK; 25ns (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: I2PAK Rückspannung max.: 300V Vorwärtsstrom max.: 30A Vorwärtsspannung max.: 1,25V Vorwärtsstrom: 10A x2 Struktur des Halbleiters: gemeinsame Ka...
ST Microelectronics
STTH2003CR
ab € 0,91*
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Brückengleichrichter: einphasig; 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS; SMT (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: YBS Rückspannung max.: 0,8kV Vorwärtsstrom: 3A Strom im max. Impuls: 110A Verpackungs-Art: Band;Rolle Elektrische Montage: SMT Typ der Gleichrichterbrücke: e...
YANGJIE TECHNOLOGY
YBS3008
ab € 0,31*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2,5W; SO8 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar Ver...
onsemi
FDS8896
ab € 0,26*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 470A V...
IXYS
IXXN110N65C4H1
ab € 23,98*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 110A; 88W; TO220AB (4 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 88W Polarisierung: unipolar...
Vishay
IRLZ34PBF
ab € 0,65*
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Diode: Gleichrichter; THT; 1,2kV; 2,3A; Tube; Ifsm: 110A; FP-Case (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: FP-Case Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,34V Vorwärtsstrom: 2,3A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls: 110A Verpacku...
IXYS
DSA1-12D
ab € 2,88*
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Diode: Gleichrichter; THT; 500V; 8A; Tube; Ifsm: 110A; TO220FP-2 (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220FP-2 Rückspannung max.: 500V Vorwärtsspannung max.: 1,25V Vorwärtsstrom: 8A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Bereitschaftszeit: 50ns Strom im m...
Vishay
VS-ETU0805FP-M3
ab € 0,82*
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Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 130ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXTQ110N10P
ab € 4,12*
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Diode: Gleichrichter; THT; 1,6kV; 2,3A; Tube; Ifsm: 110A; FP-Case (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: FP-Case Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,34V Vorwärtsstrom: 2,3A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls: 110A Verpacku...
IXYS
DSA1-16D
ab € 2,88*
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Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 110A; 3Q,Hi-Com (1 Angebot) 
Hersteller: WeEn Semiconductors Montage: THT Gehäuse: TO220AB Rückspannung max.: 0,6kV Vorwärtsstrom max.: 12A Gatestrom: 50mA Strom im max. Impuls: 110A Verpackungs-Art: Tube Eigenschaften von Hal...
WeEn Semiconductors
BTA312-600B/DG,127
ab € 0,35*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; Idm: 110A; 312W; TO247 (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 59mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 312W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FCH067N65S3-F155
ab € 4,04*
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