MOSFET bei Mercateo günstig kaufen (Seite 1.495/1.724)

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Infineon IPN50R2K0CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 500 V / 2,4 A, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,4 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

IPN50R2K0CEATMA1

ab € 0,23*
pro Stück

Infineon IPD90P04P4L04ATMA2 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A PG-TO252-3-313 (1 Angebot)

Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 90 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = PG-TO252-3-313 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2

ab € 1,52*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 150V; 20,4A; Idm: 50A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 20,4A Widerstand im Leitungszustand: 42mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42,1W Polarisie...

Vishay

SISS72DN-T1-GE3

ab € 0,92*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Angebot)

Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 348W Polarisie...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M40065B

ab € 11,47*
pro Stück

Infineon IPD60R650CEAUMA1 MOSFET Transistor / 9,9 A PG-TO 252 (1 Angebot)

Dauer-Drainstrom max. = 9,9 A Gehäusegröße = PG-TO 252

Infineon

IPD60R650CEAUMA1

ab € 0,28*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 105A Widerstand im Leitungszustand: 4,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 140W Polarisi...

ST Microelectronics

STP105N3LL

ab € 0,77*
pro Stück

Infineon IPN50R800CEATMA1 MOSFET Transistor / 7,6 A PG-SOT223 (1 Angebot)

Dauer-Drainstrom max. = 7,6 A Gehäusegröße = PG-SOT223

Infineon

IPN50R800CEATMA1

ab € 0,21*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; ThunderFET; unipolar; 200V; 11,2A; Idm: 30A (1 Angebot)

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 11,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisier...

Vishay

SISS98DN-T1-GE3

ab € 0,79*
pro Stück

Infineon IPDQ60R022S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 24 A PG-HDSOP-22-1 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-22-1 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPDQ60R022S7XTMA1

ab € 8,71*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 40A; Idm: 226A; 167W (1 Angebot)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 52,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 167W P...

Nexperia

PSMN019-100YLX

ab € 0,61*
pro Stück

Infineon IPD65R400CEAUMA1 MOSFET Transistor / 15,1 A PG-TO 252 (1 Angebot)

Dauer-Drainstrom max. = 15,1 A Gehäusegröße = PG-TO 252

Infineon

IPD65R400CEAUMA1

ab € 0,61*
pro Stück

Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 3 A, 3-Pin SOT-223 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1

ab € 0,37*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0,272A (1 Angebot)

Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,272A Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,35W Polarisier...

YANGJIE TECHNOLOGY

2N7002A

ab € 0,225*
pro 25 Stück

Infineon IPDQ60R065S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 9 A PG-HDSOP-22 (1 Angebot)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PG-HDSOP-22 Montage-Typ = SMD

Infineon

IPDQ60R065S7XTMA1

ab € 4,16*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 190A; Idm: 600A; 395W (1 Angebot)

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 190A Widerstand im Leitungszustand: 1,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbr...

Nexperia

BUK7J1R4-40HX

ab € 1,82*
pro Stück

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